M9 级高速高频覆铜板，AIDC 智算中心 AI 服务器主板专用 CCL 基材

随着AIDC智算中心算力迭代加速，AI服务器、高性能算力主板对PCB基材的信号传输精度、参数稳定性与制程一致性提出了极致严苛的要求。传统FR-4及普通高频覆铜板普遍采用湿法溶剂涂布工艺，易存在溶剂残留、板材微观结构不均、参数漂移、高频信号衰减大等固有缺陷，无法支撑大带宽、高并发、超低延迟的AI算力传输场景。清研电子M9级高速覆铜板专为AIDC智算中心AI服务器主板定制开发，以PTFE为基础基材，核心依托自研粉体成膜技术，摒弃传统湿法溶剂制程弊端，凭借致密均匀的板材结构、极致低损的电气特性与超高批次一致性，成为高端算力设备专用核心CCL基材。公司全系高速、高频覆铜板均采用粉体无溶剂成膜工艺，通过差异化配方调校，分别适配高速算力传输与超高频通信场景。

一、核心性能优势：干法工艺赋能极致低损特性

清研电子M9级高速覆铜板以PTFE为基础基材，依托自研粉体成膜技术，规避传统湿法工艺溶剂残留、结构不均、性能漂移等固有弊端，基材电气性能得到充分释放。产品具备行业顶尖的超低损耗特性，稳态核心电气参数为：介电常数DK=3，介质损耗DF=0.0004，可有效适配AI服务器高速、大带宽的信号传输需求。

相较于传统湿法板材，M9高速覆铜板微观结构更加致密均匀，可大幅降低高速信号传输损耗与相位延迟，保障智算中心设备海量数据、多通道并发信号的精准同步传输，从基材层面杜绝算力衰减、数据失真等问题。

依托先进干法工艺加持，产品参数稳定性、抗干扰性大幅提升，在宽频工况、高低温交变、7×24小时高负载连续运行场景下，电气参数无明显漂移、性能稳定不劣化，完美适配AIDC智算中心严苛运行环境。公司全系高速、高频覆铜板均采用同源干法工艺，仅通过配方差异化调校，分别适配高速算力与超高频通信场景，形成完整产品矩阵。

二、M9级高速覆铜板适配AI服务器主板的核心优势

1、工艺赋能超低损耗，极致释放算力性能

AI服务器高速信号传输的核心痛点，是基材微观不均与溶剂残留引发的信号衰减、串扰与延迟。清研电子M9覆铜板依托粉体成膜工艺，实现无残留、高致密的板材结构，最大化降低高速信号传输的能量损耗与相位偏移，保障多通道高速信号同步稳定传输，充分释放服务器峰值算力，杜绝因基材制程缺陷导致的算力折损、数据失真问题。

2、参数超高稳定，杜绝算力工况参数漂移

智算中心长期高负载连续运行，传统湿法板材易因内部残留、结构应力出现参数漂移，引发信号不稳、传输误码。M9基材通过干法一体化热压成型，板材内应力小、结构均匀固化，温漂系数极低，在高低温交变、持续重载工况下电气性能高度稳定，阻抗匹配精准，全面适配高端AI服务器、GPU算力加速卡、高速核心背板等高端算力硬件。

3、精密制程适配，满足高端PCB量产需求

AI服务器主板具备高层数、高密度、微孔径、细线路的精密特性，对基材平整度、尺寸稳定性要求极高。粉体成膜工艺可实现板材厚度均匀、平整度优异、尺寸形变率极低，同时吸水率低、耐热冲击性能突出，在PCB压合、钻孔、蚀刻全制程中良率更高、批次一致性更强，完全适配高端算力主板的精密加工与规模化量产需求。

4、绿色无溶剂工艺，可靠性更高、运维成本更低

区别于传统湿法工艺的溶剂依赖与残留隐患，清研电子干法一体成膜全程无有机溶剂、无挥发残留，板材抗老化、耐高温、抗湿热、抗分层性能大幅提升。长期高负载运行不易出现形变、分层、起泡、性能衰减等问题，有效提升服务器主板使用寿命与运行稳定性，降低智算中心设备故障与运维迭代成本，同时契合工业绿色制造标准。

三、产品场景定位（干法工艺全系覆盖）

1、M9高速覆铜板：基于粉体成膜工艺，主打AI高速算力场景，适配AIDC智算中心AI服务器主板、GPU算力加速卡、高速交换机背板等设备，依托极致低损参数保障高速算力传输。2、高频覆铜板：同源粉体成膜工艺，配方针对性优化，主打毫米波、射频超高频通信场景，适配高端通信基站、精密射频仪器，与高速型号形成全场景工艺矩阵。

四、产品总结

AIDC智算中心算力升级的核心，是基材制程工艺的迭代升级，而非简单材质替换。清研电子M9级高速覆铜板，以PTFE为基础载体，核心依托自研粉体成膜技术，彻底解决传统湿法板材残留、不均、损耗高、稳定性差的行业痛点，凭借超低电气损耗、高参数一致性、强精密制程适配性，精准匹配AI服务器高速、高稳、低延迟的算力传输需求。全系高速、高频产品均采用自主可控干法工艺，通过差异化调校覆盖算力与通信双赛道，为高端电子硬件迭代提供高性能、高可靠、绿色化的核心基材解决方案。